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硅电容器和薄膜电容器属于特种器件，其制造工艺、技术手段及材料均沿用了半导体器件生产的通用方法与材料。由此实现的极高精度与严格控制，使得这类电容器能够达到近乎理想的性能，并具备优异的参数稳定性；尽管其容值范围相对有限，且相较于与其直接竞争的陶瓷基电容器而言成本较高。
硅电容器
NCBB6800BJMAHWS
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NCBB1000AKNAKWS
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NCAA8200CKMAHWS
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NCAA1000BKNAHWS
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NCBB7500BJNAHWS
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NCAA4700BKNAHWS
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NCAA2000BJNAHWS
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